Напівпровідниковий алмазний матеріал

1. Над-висока теплопровідність

Завдяки регулюванню частки зв’язків sp³ у кристалах алмазу до рівня понад 99 %, теплопровідність може досягати 2000 Вт/(м·К), що в п’ять разів перевищує показник міді, що забезпечує швидке розсіювання тепла, що утворюється під час роботи пристрою, і запобігає локальному перегріву та вигорянню.

2. Висока ізоляція та низькі втрати

Вміст внутрішніх домішок контролюється на рівні ppb, а напруженість електричного поля пробою досягає 10 МВ/см. Під час передачі-високочастотного сигналу він майже не створює додаткових втрат енергії.

3. Сильна хімічна стабільність

Завдяки-процесу вирощування без каталізатора уникають домішок металу, і він не піддається корозії та не деформується навіть у разі тривалого використання в середовищі сильної кислоти та сильного лугу.

4. Сумісність із широкою забороненою зоною

Ширина забороненої зони досягає 5,5 еВ, і він майже не зазнає внутрішнього збудження при кімнатній температурі. Він може стабільно працювати в умовах високої-температури вище 600 градусів.

1. 5Субстрат підсилювача потужності базової станції G

Коли базові станції 5G працюють із повним навантаженням протягом тривалого часу, мікросхеми підсилювача потужності виділяють багато тепла. Використання цього матеріалу як підкладки може знизити робочу температуру чіпів більш ніж на 40%, подовжуючи тим самим час-безвідмовної роботи базових станцій.

2. Радіатор для модуля IGBT транспортних засобів нової енергії

Під час швидкої зарядки транспортних засобів з новою енергією IGBT постійно вироблятиме тепло. Використання цього матеріалу для заміни традиційного керамічного радіатора може швидко видалити тепло та запобігти перегріву модуля та спрацюванню захисту, тим самим покращуючи стабільність швидкої зарядки.

3. Ізоляційна підкладка для-датчиків потужності високої напруги

У сценарії моніторингу високої-напруги в електромережі традиційні підкладки схильні до руйнування сильними електричними полями. Висока ізоляційна властивість цього матеріалу гарантує, що датчик може точно збирати дані протягом тривалого часу в умовах високої-напруги понад 10 кВ.

4. Підкладка для розсіювання тепла для світлодіодного освітлення-високого класу

Зовнішні світлодіодні вуличні ліхтарі високої потужності, як правило, з часом слабшають. Використання цього матеріалу як підкладки може швидко відводити тепло і продовжити термін служби світлодіода на 30%.

1. Точне налаштування розміру

China Super Tech Co., Ltd. може контролювати допуск різання матеріалу в межах ±0,02 мм відповідно до вимог до розміру упаковки компонентів клієнта. Замовнику не потрібно виконувати вторинне подрібнення, і його можна безпосередньо адаптувати до існуючої лінії виробництва упаковки.

2. Регулювання концентрації допінгу

Відповідно до вимог замовника щодо провідності, концентрацію допування бору або азоту можна точно відрегулювати для досягнення градієнта налаштування від високої ізоляції до напівпровідника без необхідності додаткових перехідних шарів.

3. Обробка полірування поверхні

Використовуючи власно-розроблений процес хіміко-механічного полірування, шорсткість поверхні матеріалу можна контролювати нижче 0,5 нм. Навіть якщо замовник безпосередньо потім виконує металеве покриття, проблеми з недостатньою адгезією не виникне.

4. Пакетна швидка доставка

Завдяки власним великим-камерам росту цикл доставки звичайних індивідуальних замовлень можна скоротити до 7 робочих днів, що на 50% швидше, ніж середній час доставки в галузі.

Специфікація	Подробиці
Назва продукту	Напівпровідниковий алмазний матеріал
Тип матеріалу	Синтетичний алмаз (CVD Diamond / HPHT Diamond)
Чистота	Більше або дорівнює 99,9% вуглецю
Кристалічна структура	Монокристалічний або полікристалічний алмаз
Доступні оцінки	Електронний клас, термічний клас, оптичний клас
Діапазон товщини	0,1 мм – 2,0 мм (налаштовується)
Діапазон розмірів	від 2 мм × 2 мм до 100 мм × 100 мм (налаштовується)
Оздоблення поверхні	Полірована, двостороння-полірована
Шорсткість поверхні	Ra менше або дорівнює 10 нм (налаштовується)
Теплопровідність	До 2200 Вт/м·К
Електричні властивості	Ізоляційний або напівпровідниковий клас (доступний із легованим алмазом)
Робоча температура	До 700 градусів (залежно від середовища застосування)

Питання 1: Чому напівпровідниковий алмазний матеріал вважається ідеальним для управління температурою в напівпровідникових пристроях?

Напівпровідниковий алмазний матеріал має один із найвищих показників теплопровідності серед комерційно доступних матеріалів, досягаючи до 2200 Вт/м·К. Це дозволяє йому розсіювати тепло набагато швидше, ніж традиційні матеріали, такі як кремній, мідь або нітрид алюмінію. Для високо-потужних напівпровідникових пристроїв, радіочастотних компонентів і обчислювальних програм штучного інтелекту надмірне тепло може значно знизити продуктивність і скоротити термін служби пристрою. Алмазні підкладки та розподільники тепла допомагають підтримувати стабільну робочу температуру, підвищують щільність потужності та підвищують загальну надійність у складних умовах.

 

Q 2: Чи можна напівпровідниковий алмазний матеріал налаштувати для різних застосувань у напівпровідниках?

так Напівпровідникові алмазні матеріали можна легко налаштувати з точки зору розміру, товщини, орієнтації кристалів, обробки поверхні та електричних властивостей. Виробники можуть запропонувати одно-кристалічні або полікристалічні алмазні матеріали, а також легований бором-алмаз для напівпровідникових застосувань, які потребують електропровідності. Індивідуалізація особливо важлива для силової електроніки, лазерних систем, квантових пристроїв і передових технологій упаковки, де точні характеристики безпосередньо впливають на продуктивність і інтеграцію пристрою.

 

Q 3: Які переваги CVD-алмазу над звичайними напівпровідниковими матеріалами?

Алмаз хімічного осадження з парової фази (CVD) забезпечує чудову теплопровідність, відмінну електроізоляцію, високу твердість і виняткову хімічну стабільність. На відміну від звичайних напівпровідникових підкладок, які можуть страждати від температурних обмежень, CVD-алмаз може надійно працювати за високих температур і високої-енергетики. Він також забезпечує низькі діелектричні втрати, що робить його придатним для високо-радіочастотних і мікрохвильових застосувань. Завдяки цим властивостям CVD алмаз стає все більш популярним матеріалом для напівпровідникових і фотонних технологій наступного-покоління.

 

Запитання 4. Чи підходить напівпровідниковий алмазний матеріал для електронних пристроїв високої-потужності та-високої частоти?

Абсолютно. Напівпровідниковий алмазний матеріал широко використовується в підсилювачах високої -потужності, радіочастотних транзисторах, лазерних діодах і передових напівпровідникових упаковках через його виняткову здатність розсіювати тепло. Оскільки напівпровідникові пристрої продовжують ставати меншими та потужнішими, керування температурою стало одним із найбільших викликів для виробників. Алмазні матеріали допомагають зменшити термічний опір, підвищити ефективність пристроїв і підвищити-тривалу стабільність роботи, особливо в програмах, пов’язаних із зв’язком 5G, аерокосмічною електронікою та обчислювальним обладнанням штучного інтелекту.

 

Q 5: Як мені вибрати правильний напівпровідниковий алмазний матеріал для мого проекту?

Вибір відповідного напівпровідникового алмазного матеріалу залежить від кількох факторів, включаючи вимоги до тепла, електричні характеристики, робоче середовище та дизайн упаковки. Клієнти повинні визначити, чи потрібен їм монокристалічний чи полікристалічний алмаз, необхідну орієнтацію кристала, товщину, шорсткість поверхні та чи потрібне легування для електропровідності. Співпраця з постачальником, який пропонує спеціальну обробку та контроль якості-якості напівпровідників, може допомогти забезпечити сумісність із дизайном вашого пристрою, одночасно зменшуючи проблеми з виробництвом та інтеграцією.

 

 

 

 

Популярні Мітки: напівпровідниковий алмазний матеріал, виробники, постачальники, фабрика напівпровідникового алмазного матеріалу в Китаї